TriQuint推出两款新包装的GaAs区域

TriQuint半导体公司推出两款新包装的GaAs低噪声放大器TQP M90 6和TQP M90 7。这两款表面贴装封装的低噪声放大器提供最低噪声系数于基站和类似用途的任何集成、封装解决方案。新器件包括噪声系数为0.45dB，操作从400至1500MHz的TQP M90 6和包括噪声系数为0.40dB，操作从1500至2700MHz的TQP M90 7，是基于该公司的GaAs E-pHEMT工艺制成的。两者都适合基础设施应用，如蜂窝基站，塔顶放大器(TMAs)、小蜂窝无线络、中继器、700MHz的LTE络、和采用UHF频段中空白信号频谱(white spaces)的新兴无线系统。

TriQuint新的解决方案，通过对芯片和封装内整合的关键功能(通常是由外部元件整合)，简化了射频设计。新的低噪放还解决TDD-LTE市场对集成数字关机偏置能力日益增长的要求，并且可以从偏置电压+ V至+5V提供高性能，无需负电源电压。偏置络通过电流反射镜和反馈电阻，随温度保持稳定;它还提供了数字电源关闭功能的开关电路。TriQuint新的低噪放已优化片上配置，以提供最佳噪声系数，线性度和可靠性的组合。

这两个TriQuint的新器件都与TriQuint产品组合中同类产品引脚兼容，并安装在行业标准，符合RoHS标准，2x2mm，8引脚DFN的封装。他们是极为坚固的器件，并能阻断高功率干扰输入信号或大于+22dBm的发射功率泄漏。这些器件还无条件稳定，以消除潜在的振荡。TQP M90 6和TQP M90 7均内部匹配50Ω，不需要操作任何外部匹配电路。