巴斯夫创造用于集成电路的先进电镀铜化学品.鼓励

巴斯夫创造出一种先进的电镀铜化学品，可满足现今及未来芯片科技的需求。巴斯夫与IBM于2007年6月开始这一联合开发项目，这项创新的化学品解决方案是其直接成果。这种解决方案的表现超越了市场上现有的其它化学品。

两家公司正扩展他们的合作计划，以确定量产所需的参数。相关的技术、化学品和材料预计可于2010年中期上市供应。

巴斯夫全球电子材料业务部研发部门的资深经理兼该项目负责人DieterMayer表示：“我们为这一创新的化学品感到兴奋无比。巴斯夫与IBM团队选择了一种新的方式，通过对于沉积铜物理特性的了解来设计分子添加剂系统。利用巴斯夫与IBM强大的资源，我们已经克服了在电镀铜方面的主要挑战，朝着制造更小、更快、更可靠芯片的目标又迈进了一步。”

实现无缺陷的电导线沉积是成功沉积铜工艺最关键的条件。在电镀铜沉积工艺中，传统的等向性充填(conformalfill)会在形体的上、下、外围产生同样的铜沉积率，形成接缝及缺陷。通过采用巴斯夫的化学品可以实现快速的充填，一般称为“超填孔(superfill)”，可以将铜快速的充填至细小的通孔及沟槽，制造出无缺陷的铜导线。通过超填充的方式，底部的铜沉积率会比顶部及外围更高。

铜导线可显著改善芯片效能，这种高传导性金属的沉积是建构多层互连结构的关键性工艺。时下最先进的芯片技术被称为 2纳米技术节点，而下一代的22纳米技术预期将于2011年推出。当芯片尺寸越来越小，互连结构日趋复杂，要制造出高性能的芯片就更需要专门的化学知识。同时，纯熟完善的化学工艺解决方案也是必不可少的。

就可在每周六日的13::00和18::30这两个时间段中加入到跨服竞速中巴斯夫的电镀铜化学品已经可以应用在 2纳米和22纳米的芯片技术中，能明显改善芯片铜导线的可靠性，提升芯片的性能和质量。