NEC山形将投产40纳米半导体产品

　　NEC电子今年年内将对其全资子公司山形日本电气股份公司（以下简称为NEC山形）投资100亿日元生产使用40纳米加工技术的系统LSI。NEC山形此次在现在的 00毫米硅片生产线的基础上投入了可以生产55nm和40nm的最高端半导体产品用的浸没式光刻机等设备。

　　40nm系统LSI是比45nm半导体更微细化的产品，也可以说是45nm的下一代产品。NEC山形目前的生产能力约为每月1 ,000片的 00毫米硅片。导入此次的设备的之后，该工厂可生产5,000片的55nm品和40nm品，其中2,000片是40nm品。

　　40nm品预计将于2008年末开始投产，所生产的产品预计有用于数字家电、移动设备以及游戏设备的系统LSI和混载存储器的系统LSI产品。

　　NEC山形的55nm品采用了液浸曝光技术和High-k Gate绝缘膜等高端技术。该工艺也可运用在40nm产品的生产过程中。因此NEC电子决定在NEC山形开始生产40nm产品。

　　随着半导体产品的生产工艺朝着微细化发展，随之可以实现低成本、高效处理以及低功耗等目的，因此半导体生产厂商积极地向微细化方向发展。

　　NEC电子从2006年12月开始生产最高端的65nm产品之后，于2007年10月开始生产出65nm的第二代产品——55nm的样品。NEC电子最高端的产品，因其特有的高可＊性和低功耗性能从而博得了市场一致好评。

　　NEC山形自2005年1月开始 00毫米硅片生产至今，已累计投资了1,400亿日元，从原先的1 0nm产品到现在的90nm以及55nm产品等，都是面向数字家电市场的产品。

　　今后，NEC电子还将向NEC山形陆续投入生产40nm产品所需要的设备，予以确保40nm产品可以早日量产。