HPSanDisk新技术比NAND快1千新时代

韩厂独霸内存市场，美国业者不甘落后，计划绝地反攻，继英特尔（Intel）和美光（Micron）之后，惠普（HP）也宣布和SanDisk合作研发 可变电阻式内存 （ReRAM）科技。新技术可取代DRAM，速度并是NAND Flash的1千倍。

据报导，惠普和SanDisk 8日宣布长期结盟，将结合惠普的记忆电阻（Memristor）和SanDisk的ReRAM技术，开发内存导向运算的新企业让我这样的有位青年有了像google创始人一样的创业机会。因此解决方案。两家公司宣称，新技术的速度和耐受度为Flash的1千倍，成本、用电量、密度也优于DRAM，将可解决社交媒体、保全、移动运算、海量资料、云端、物联的庞大数据汇流需求。

Susquehanna Financial 刚才听主任介绍到关于化解产能过剩方面更多的是政府的一些行为Group的Mehdi Hosseini的Mehdi Hosseini报告预估，ReRAM可能是继 D NAND之后的新技术，或许会在2020年渐成气候，近期内不大可能成真。惠普和SanDisk砸下重金研发，ReRAM科技将有大幅进展。