CdS纳米带光电导性能研究取得新进展

　　在国家自然科学基金委员会、中国科学院和香港城市大学的大力支持下，中科院理化所孟祥敏研究员与理化所客座教授、香港城市大学张文军博士和李述汤讲座教授合作，在CdS纳米带的晶体结构和光电导性能表征方面取得新进展，相关研究成果发表在2006年的Nano Letters 杂志上(Nano Lett, Vol.6,No.9,2006,1887)。

　　随着纳米材料制备水平的日趋深入、成熟和多样化，纳米器件及其性能的研究得到了广泛开展，并在晶体管、发光二极管、气体和化学传感器等应用方面获得了初步成功。理化所最近成功地制备了宽度几个微米的CdS纳米带，对纳米带的结构进行了表征，测量了单根纳米带的光电导性能。实验发现：纳米带的生长方向与其它II-VI族半导体纳米带不同；CdS单根纳米带的光谱响应、光强度和时间响应速度比体材料和薄膜的响应速度快得多，而且纳米带的尺寸对纳米带的响应速度有明显的影响，宽度越小，响应速度越快；说明CdS纳米带响应速度正比于纳米材料表面-体积比和单晶的完整度；在不同的气氛中感光灵敏度有明显不同。

　　这一研究进展表明CdS半导体纳米带在光敏器件和气体传感器等光电应用方面有广泛的前景。