传统氮化热处理技术制备氮化铝散热层的技术

　　氮化铝陶瓷散热基片具有超过170W/m·k的高热导率(为氧化铝的7倍)、较低的介电常数和介质损耗、可靠的绝缘性能，优良的力学性能，无毒，耐高温，耐化学腐蚀，为理想的绝缘散热基板和封装材料，广泛应用于大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件等高技术领域。如：高功率微波射频器件、高亮度LED、光电通讯、半导体零件、电力电子器件等等。

　　目前高功率LED黏着基板大致有硅基板与陶瓷基板，陶瓷基板又分为氧化铝基板与氮化铝基板，其中氮化铝基本的散热效益是硅基板的1.4倍，更为氧化铝基板的7倍之多。因此氮化铝基板应用于高功率LED的散热效益显著，进而大幅提升LED的使用寿命。相较于硅基板，氮化铝基板可提升LED寿命 ,000——4,000小时;与氧化铝基板相较，更可高出6,000——7,000小时以上。

　　过去的制程方法，都利用粉末冶金的技术生产氮化铝基片，经过粉末混合、压合成型及烧结等方式来生产制造氮化铝陶瓷散热片，本计划将研究使用传统表面热处理的制程技术开发高散热氮化铝的基材，以运用在提升LED散热性能技术之开发，具有高量产性与低成本的特性。未来本计划若能顺利完成预期目标，不但具有技术移转授权的潜力，同时亦可辅导传统热处理产业升级至半导体与光电产业，深具投资开发潜能。