[br][br]新系列的耐擦写能力

美国英特尔于当地时间2011年9月14日发布了数据中心用SSD“Intel Solid-State Drive 710 Series”。采用以25nm工艺技术制造的MLC（multi-level cell）型闪存实现了100G～ 00GB的大容量，并就MLC型的弱点——耐擦写能力的提高做了改进。设想用于数据中心、HPC（high performance computing）及数字内容处理等写入/读取次数多的用途。该系列的定位是采用SLC（single-level cell）型闪存的“Intel X25-E Extreme SSD”（容量为 2G～64GB）的后续产品。

新系列的耐擦写能力，100GB产品最高为500TB， 00GB产品最高为1.1PB。英特尔现行的标准MLC型SSD“ 20 Series”的耐擦写能力，120GB产品为15TB， 00GB产品为 0TB。老款SLC型SSDX25-E的耐擦写能力为， 2GB产品为1PB，64GB产品为2PB，“实现了接近于SLC型SSD的耐擦写能力”（英特尔）。另外，此次发布的710 Series保留20％的冗余容量时，100GB产品的耐擦写能力为900TB， 00GB产品为1.5PB。

英特尔公司将用来提高耐擦写能力的技术称为“High Endurance Technology”（HET）。通过扩展测试方法等优化闪存本身，并结合优化错误规避方法及采用写入放大的缩减算法等固件扩展，而提高了耐擦写能力。

710 Series的写入和读取速度与SLC型SSDX25-E相当。具体为，4KB随机写入速度最高为2700IOPS（冗余容量为20％时，最高为4000IOPS），4KB随机读取速度最高为 万8500IOPS。此外，710 Series强化了128位AES加密功能及停电时减少数据损失的数据保护功能等。（记者：竹居 智久，《日经电子》）鄂州癫痫病医院咋样
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